전소영 기자 입력 : 2022.06.30 11:00 ㅣ 수정 : 2022.06.30 11:00
나노시트 활용 독자적 GAA 기술(MBCFET)로 전력효율·성능 극대화 고성능·저전력 HPC용 시스템 반도체, 모바일 SoC 등 적용 확대
삼성전자는 30일 세계 최초로 3나노 파운드리 양산을 시작한다고 밝혔다. [사진 = 삼성전자]
[뉴스투데이=전소영 기자] 삼성전자가 세계 최초로 3나노 파운드리 양산을 시작한다.
삼성전자는 30일 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술이 적용된 3나노(nm, 나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산에 돌입한다고 밝혔다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 중 가장 앞선 기술로, 특히나 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 가운데 오로지 삼성전자만 보유하고 있다.
GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 통하는 채널(Channel) 4개면을 게이트(Gate)가 둘러싸는 형태다. 게이트의 면적 확대로 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 개선하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 향상시키는 차세대 반도체 핵심 기술로 평가된다.
삼성전자는 이번에 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC, High-Performance Computing)용 시스템 반도체를 초도 생산한데 이어, 모바일 SoC 등으로 점차 확대해 나갈 계획이다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 “삼성전자는 파운드리 업계에서 처음으로 '하이-케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate)', 핀펫(FinFET), EUV 등 신기술을 선제적으로 도입함에 따라 빠르게 성장해 왔고, 이번에 MBCFET GAA기술이 탑재된 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”고 말했다.
이어 “앞으로도 차별화된 기술을 적극적으로 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나갈 것”이라고 밝혔다.
