[뉴스투데이=전소영 기자] 삼성전자가 화성 V1라인 출하식을 열고 그간 3나노 연구개발·양산에 힘써온 임직원을 독려했다.

삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 탑재한 3나노 파운드리 제품 출하식을 가졌다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관을 비롯해 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여명이 참석 자리를 빛냈다.

이날 삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’ 당찬 포부와 함께 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 의지를 강하게 내비쳤다.

경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산을 통해 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 이르렀을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술을 조기에 개발한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

앞서 삼성전자는 2000년대 초부터 GAA 트랜지스터 구조 연구를 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 탑재된 3나노 공정 양산을 발표한 바 있다. 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용했으며, 이후 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 손을 잡고 있다.

삼성전자는 향후 평택캠퍼스에서도 나노 3GAA 파운드리 공정 제품 양산을 확대해 나갈 방침이다.