[뉴스투데이=전소영 기자] 삼성전자가 미국에서 초거대 AI(인공지능) 시대를 이끌어갈 ‘차세대 메모리 솔루션’을 대거 선뵀다.

21일 삼성전자에 따르면 회사는 지난 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 소재 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 ‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’라는 주제로 삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023을 개최했다.

이날 행사에는 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명을 비롯해 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장, 짐 엘리엇(Jim Elliott) 미주총괄 부사장, 업계 주요 인사 등이 참석해 자리를 빛냈다. 

삼성전자는 이날 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유했다.

특히 △AI 기술 혁신을 주도할 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’ △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 변화시킬 ‘LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)’ △스토리지 가상화를 통해 분할 사용할 수 있는 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 공유해 주목을 받았다. 

샤인볼트는 컴퓨팅 자원을 최적화해 사용할 수 있는 구조로 변화하는 클라우드 시스템을 충족시킬 수 있는 고대역폭, 저전력 메모리 등 조건을 갖춘 차세대 HBM3E D램이다.

데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps로, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 또 NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 고단 적층을 구현하고 열전도를 극대화했다.

업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2는 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자들의 이목을 끌었다. 

최근 AI 기술은 빠르게 증가하는 데이터의 원활한 처리를 위해 클라우드와 에지 디바이스 간에 워크로드를 분산, 조정하는 하이브리드 형태로 변화하고 있은데, LPDDR5X CAMM2는 고성능·저전력과 다양한 폼팩터로 에지 디바이스 혁신을 주도할 D램으로 기대된다.

이 밖에도 삼성전자는 자율 주행 시스템의 고도화에 따라 차량용 메모리 시장에서는 고대역폭, 고용량 D램과 여러 개의 SoC(System on Chip)와 데이터를 공유할 수 있는 제품으로 ‘Detachable AutoSSD’를 공개했다.

최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하고 4TB 용량을 제공한다. 탈부착이 가능한 폼팩터로 편리하게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 용이한 제품이라는 평가다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라고 밝혔다.

이어 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 주도하고 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 넘어서는 확장된 솔루션을 제공함으로써 메모리 시장을 계속적으로 선도해 나가겠다”고 말했다.