삼성전자, 업계 최초 서버SSD 위한 ‘1Tb QLC 9세대 V낸드’ 양산

전소영 기자 입력 : 2024.09.12 08:33 ㅣ 수정 : 2024.09.12 08:33

고용량 QLC·고성능 TLC 통해 차세대 낸드플래시 시장 경쟁력 강화
혁신 기술 집약해 고단 적층 QLC V낸드 한계 극복…응용처 확대 예정

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삼성전자가 업계 최초로 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 ‘1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’를 양산했다. [사진 = 삼성전자]

 

[뉴스투데이=전소영 기자] 삼성전자가 업계 최초로 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 ‘1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산에 성공했다. 

 

삼성전자는 지난 4월 ‘TLC 9세대 V낸드’를 최초 양산한데 이어 QLC 제품까지 선뵈며 고용량·고성능 낸드플래시 시장 리더십을 굳건히 했다고 12일 밝혔다.

 

삼성 9세대 V낸드는 독보적인 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching) 기술을 적용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현했다. 

 

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 늘어난 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)를 갖췄다.

 

V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 핵심인 가운데 삼성전자는 이를 위해 ‘디자인드 몰드(Designed Mold)’ 기술을 적용했다.

 

디자인드 몰드란 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 간격을 조절해 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 향상시켜 제품 신뢰성을 강화했다.

 

이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 최소로 줄이는 예측 프로그램(Predictive Program) 기술 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 끌어올렸다.

 

또한 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 저전력 설계 기술을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 축소했다.

 

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 겸비했다”며 “최근 AI향으로 수요가 빠르게 증가하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 두드러질 것”이라고 말했다.

 

한편 삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 늘려나갈 방침이다.

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